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                Plasma Etching Cluster 多腔等離子體刻蝕系統(tǒng)

                簡要描述:l方案是適用于8吋晶圓的多腔等離子體刻蝕工藝系統(tǒng)l系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn)l系統(tǒng)兼容8吋、6吋、4吋、3吋晶圓和不規(guī)則碎片;不同尺寸樣片之間的切換、無需反應(yīng)腔的開腔破真空l系統(tǒng)包括:一個(gè)六端口的轉(zhuǎn)接腔、帶機(jī)械手

                基礎(chǔ)信息

                產(chǎn)品型號

                廠商性質(zhì)

                代理商

                更新時(shí)間

                2024-10-22

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                詳細(xì)介紹

                l   方案是適用于 8 吋晶圓的多腔等離子體刻蝕工藝系統(tǒng)

                l   系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn)

                l   系統(tǒng)兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圓和不規(guī)則碎片;不同尺寸樣片之間的切換、無需反應(yīng)腔的開腔破真空

                l   系統(tǒng)包括:

                一個(gè)六端口的轉(zhuǎn)接腔、帶機(jī)械手。

                六個(gè)端口分別連接:

                1)一個(gè)ICP-RIE 刻蝕腔模塊:專用于刻蝕鈮酸鋰

                2)一個(gè)ICP-RIE 刻蝕腔模塊:配氟基氣體,主要用于刻蝕介質(zhì)、光刻膠去等

                3)一個(gè) RIE 刻蝕腔模塊:配氯基氣體,主要用于刻蝕金屬等

                4)一個(gè) loadlock 預(yù)真空室模塊:用于單片樣品的手動送樣

                5)一個(gè)真空片盒站模塊:用于多片片盒的自動送樣

                6)一個(gè)端口備用,未來可升級增加 1 個(gè)刻蝕或沉積反應(yīng)腔模塊


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