v 單價離子加速能量≥200keV，并增加減速系統(tǒng)實現(xiàn)單價離子在5keV~200keV的能量范圍

v 可用于2、3、4、6、8英寸晶圓以及不規(guī)則碎片

v 可注入B、P、As、Al、S、H、Mg、Si離子

v 注入劑量精準(zhǔn)度≤1.5%

v 離子注入劑量范圍：1×1011 at/cm²～1×1016 at/cm²

v 離子源部分：離子源、離子源氣體系統(tǒng)和離子源引出系統(tǒng)

v 離子源系統(tǒng)搭載5套從固體蒸發(fā)源產(chǎn)生離子的Vaporizer，溫度達700℃，實現(xiàn)固態(tài)源的離子注入

v 離子注入傾斜角度在0°和7°

v 室溫臺：0°和7°；高溫臺：0°

v 束流調(diào)整系統(tǒng)主要包括：質(zhì)量分析器、束流匯聚系統(tǒng)、加速系統(tǒng)、掃描系統(tǒng)、束流檢測和高壓絕緣變壓器

v 真空系統(tǒng)主要包括：Ion Source真空系統(tǒng)、Beam Line真空系統(tǒng)、End Station真空系統(tǒng)、真空系統(tǒng)中的真空管件和閥門以及真空檢測單元

v 真空度：

Ion Source真空度：≤7×10-4Pa

Beam Line真空度：≤7×10-5Pa

End Station真空度：≤7×10-5Pa